原位气体加热样品杆

更新时间：2020/4/21 8:59:53信息编号：2056-913612

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详细介绍

程序升温原位气体反应系统x~b~a~i~x~i~n~g~c~o~m是在标准的样品台基础上搭建可视化NONA-LAB和四电极反馈控温模块，在透射电镜中实现样品的气氛环境皮米级高分辨成像和精准、均匀、安全控温，温度精度优于±0.1K，温度范围RT~1000℃，气压范围：低于2000mBar。

通过精确的热场模拟及独特的芯片设计，实现无漂移加热过程，可在加热升温过程中实现实时观测成像。原位气氛反应纳流控安全管理系统实现纳升级别流体引入，高效精确控制气体池中的流体的流速流量，最低为10nL/s，引入流体在极其微量级别，即使在芯片窗体薄膜破裂的情况下，也不会有大量气体渗漏，使得电镜的安全得以保证，实验不受影响可持续进行。

技术参数：

x b a i x i n g c o m

适用极靴	ST,XT,T,BioT,HRP,HTP,CRP
适用电镜	FEI, JEOL, Hitachi
倾转角	静态 α=±25°，流体 α=±20°
安全性x_b_a_i_x_i_n_g_c_o_m	100%
(HR)EDS/EELS	√
(HR)TEM/STEM	√
加热电极数	4
加热均匀性	≥ 99.5%
温度精度	± 0.1K
适用气氛	H2 , He, N2 , O2 , Ar, H2O, CO, CO2 , CxHy ...
压力范围	0~2000mBar qEp
流道数	4
气体池厚度	100~200nm
窗口膜厚	10nm, 25nm, 50nm
适用样品小百姓网	静态，流体

程序升温原位气体反应系统独特优势：
1. 皮米级分辨率
a.超薄气夹层（100-200nm）
b.超薄氮化硅膜（可达10nm）
2. 温控精确
a.四电极形成反馈控制系统，控温准
b.温度范围RT~1000℃，精度±0.1K
c.观测区域全覆盖，升温快且均匀，升温过程不漂移
3.安全性高
a.气体流道采用防腐设计
b.纳流控系统防渗漏
c.气体流速可控，z低10nL/s

应用领域 ：
1.化学领域：热催化、水汽重整、石油裂解、煤制油、合成氨
2.材料科学领：石墨烯及其他二维材料CVD生长
更多访问：
http://www.chip-nova.com.cn/SonList-1688744.html
http://www.chem17.com/st384871/erlist_1688744.html

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